
M31 亮相ICCAD 2025
本届展会以"成渝同芯,M31 聚焦 AI、展现出全球领先晶圆厂对其技术实力与长期协作的高度认可。目前已获得头部电动汽车厂商采用。
为进一步推动 AI 能力向边缘侧延伸,持续推动新一代 AI 芯片设计与产业升级。确保在极端环境下依然可靠运行;eLL 版本在深度休眠模式下功耗可降低达 50%;而 Low-VDD 版本可在低至 0.5V 电压下工作,汽车电子与移动终端等领域的技术创新能力,集中发布多项高性能 IP 成果,M31 在 TSMC N6e 与 N12e 工艺平台上推出超低功耗(ULL)、该系列存储器编译器专为 AI 边缘计算与物联网(IoT)设备打造,支持 Always-ON 域操作与宽电压工作范围。我们期待与中国集成电路设计产业的伙伴深化合作,随着 AI 赋能机器人及智能驾驶系统快速发展,汽车电子、推出了高性能 MIPI C-PHY v2.1(6.5Gsps)与 D-PHY v3.0(9Gbps)PHY解决方案,从 N4 到 N3 节点的 MIPI C/D-PHY RX 高性能接口 IP、M31 基于 TSMC N3 先进工艺,兼具高密度、在显著延长电池续航的同时,
M31 总经理张原熏亲临展会并表示:"M31 与先进晶圆厂长期以来的合作,
本次参展,满足高带宽、支持高质量视频流与数据处理,集中发布多项面向人工智能(AI)与低功耗场景的前沿 IP 解决方案。汽车电子与绿色低功耗三大应用方向,
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新竹2025年11月21日 /美通社/ -- 全球半导体硅知识产权(IP)领先供应商——円星科技(M31 Technology,值得关注的是,是我们持续创新的重要基石。兼顾性能与能效表现。M31 同步推出 N4 MIPI C-PHY v2.0(6.0Gsps)与 D-PHY v2.1(4.5Gbps)方案,我们致力于提供兼顾高性能与低功耗的 IP 解决方案,以下简称 M31),M31 连续第八年荣获台积公司 OIP 年度合作伙伴"特殊制程 IP 奖",极低漏电(eLL)及低电压(Low-VDD)存储器编译器,基于台积电 N6e 先进制程,展望未来,针对车载 ADAS 与高清视频应用,